Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.

Las series BPW76A y BPW76B de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una ventana de cristal. Son sensibles tanto a la radiación por infrarrojos visible como cercana. Los fototransistores BPW76A y BPW76B son ideales para el uso de detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.

Características de los fototransistores BPW76A y BPW76B:
Encapsulado TO-18
Montaje de orificio pasante
4,7 mm de diámetro
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Ángulo de media intensidad: 40 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +125 °C

Fototransistores de infrarrojos, Vishay Semiconductor