Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, rango onda λ 730 → 1000 nm, corriente Ic 50mA, mont. SMD, Subminiaturiza

Esta familia de fototransistores NPN de silicio, de Vishay Semiconductor, son encapsulados subminiatura de montaje en superficie (SMD). Tienen un encapsulado de plástico negro con diferentes opciones de cable, incluidos: con forma de ala de gaviota (GW), con forma de ala de gaviota invertida (RGW), de horquilla y cables axiales. Las carcasas negras dotan a los fototransistores TEMT1000 de un filtro de bloqueo de luz diurna.
Las aplicaciones adecuadas para estos fototransistores incluyen: codificadores, contadores, fotointerruptores, detectores de IR para uso diurno y su uso como detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.

Características de la serie TEMT1000:
TEMT1000, TEMT1020, TEMT1030 y TEMT1040
Encapsulado subminiatura
Montaje en superficie (SMD)
Carcasa de plástico negro
Gran variedad de tipos de cable
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 15 °

Fototransistores de infrarrojos, Vishay Semiconductor