Módulo IGBT, MID200-12A4, N-Canal, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 5-Pines Simple
- Código RS:
- 194-394
- Nº ref. fabric.:
- MID200-12A4
- Fabricante:
- IXYS
Descatalogado
- Código RS:
- 194-394
- Nº ref. fabric.:
- MID200-12A4
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 270 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | Y3 DCB | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 5 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 110 x 62 x 30mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 270 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado Y3 DCB | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 5 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 110 x 62 x 30mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Módulos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.