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    Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico

    Código RS:
    168-4561
    Nº ref. fabric.:
    7MBR50VB-120-50
    Fabricante:
    Fuji Electric
    Fuji Electric
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    168-4561
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    7MBR50VB-120-50
    Fabricante:
    Fuji Electric
    COO (País de Origen):
    JP

    Legislación y Conformidad

    COO (País de Origen):
    JP

    Datos del Producto

    Módulos IGBT de 7 paquetes, Fuji Electric


    Serie V


    IGBT discretos y módulos, Fuji Electric


    El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

    Especificaciones

    AtributoValor
    Corriente Máxima Continua del Colector50 A
    Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
    Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
    Disipación de Potencia Máxima280 W
    ConfiguraciónPuente trifásico
    Tipo de EncapsuladoM712
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Tipo de CanalN
    Conteo de Pines24
    Configuración de transistorTrifásico
    Dimensiones122 x 62 x 17mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
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