Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico
- Código RS:
- 168-4561
- Nº ref. fabric.:
- 7MBR50VB-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 168-4561
- Nº ref. fabric.:
- 7MBR50VB-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- JP
Datos del Producto
Módulos IGBT de 7 paquetes, Fuji Electric
Serie V
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 280 W |
| Tipo de Encapsulado | M712 |
| Configuración | Puente trifásico |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 24 |
| Configuración de transistor | Trifásico |
| Dimensiones | 122 x 62 x 17mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
- Código RS:
- 168-4561
- Nº ref. fabric.:
- 7MBR50VB-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric