IGBT, SIA433EDJ-T1-GE3

El MOSFET POWERPAK-SC70-6 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 12V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 18mohms a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 19W mW y una corriente de drenaje continua de 12A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 1,8V V y 4,5V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Protección ESD integrada con diodo zener
• Libre de halógenos
• Componente sin plomo (Pb)
• Baja resistencia de conexión
• Nuevo encapsulado POWERPAK SC-70 térmicamente mejorado
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• Área de tamaño pequeño
• MOSFET de potencia TrenchFET
• El rendimiento típico de ESD es de 1800V kV

• Interruptores de batería
• Interruptores del cargador
• Interruptores de carga
• Dispositivos portátiles

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado