IGBT, ISL9V3040D3ST, N-Canal, 21 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 807-8758P
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V3040D3ST
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,42 € |
| 100 - 495 | 2,098 € |
| 500 - 995 | 1,844 € |
| 1000 + | 1,678 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 807-8758P
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V3040D3ST
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 21 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 300 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±10V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 21 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 300 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±10V | ||
Disipación de Potencia Máxima 150 W | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.