LED de infrarrojo EPIGAP OSA Photonics de 1 LEDs OCI-440, 2.6 V, λ 740 nm, 50 mW/sr, encapsulado 1515 de 2 pines,
- Código RS:
- 173-6363
- Nº ref. fabric.:
- OCI-440-IT740-Star
- Fabricante:
- EPIGAP OSA Photonics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 20,38 € |
| 5 - 9 | 19,79 € |
| 10 - 24 | 19,19 € |
| 25 - 49 | 18,58 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 173-6363
- Nº ref. fabric.:
- OCI-440-IT740-Star
- Fabricante:
- EPIGAP OSA Photonics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | EPIGAP OSA Photonics | |
| Tipo de producto | LED de infrarrojo | |
| Longitud de onda máxima | 740nm | |
| Encapsulado | 1515 | |
| Intensidad Resplandeciente | 50mW/sr | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de LEDs | 1 | |
| Número de pines | 2 | |
| Forma de la lente | Redondo | |
| Serie | OCI-440 | |
| Material del LED | GaAlAs, GaP, InGaN, AlInGaP | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 2.6V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca EPIGAP OSA Photonics | ||
Tipo de producto LED de infrarrojo | ||
Longitud de onda máxima 740nm | ||
Encapsulado 1515 | ||
Intensidad Resplandeciente 50mW/sr | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de LEDs 1 | ||
Número de pines 2 | ||
Forma de la lente Redondo | ||
Serie OCI-440 | ||
Material del LED GaAlAs, GaP, InGaN, AlInGaP | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Tensión de alimentación máxima 2.6V | ||
Estándar de automoción No | ||
La luz OSA Opto Light dispone de varios encapsulados SMD-LED basados en PCB para diversos tamaños, características radiantes y tipos de chip. Casi todos nuestros chips estándar se pueden montar en nuestros encapsulados SMD. Todos los dispositivos pueden caracterizarse a 20 mA, 2 mA (corriente baja) y conforme a condiciones específicas de personalización. La mayoría de ellos se pueden empaquetar con la cinta hacia arriba o hacia abajo. La resistencia térmica de los propios dispositivos es de aproximadamente 150 K/W (Kelvin/vatio), en función de la tecnología de chip se puede conseguir una disipación de potencia de hasta 10 mW.
encapsulado: 1515
tamaño: 3,8 mm x 3,8 mm x 0,9 mm
ángulo de visión: 120°
sustrato: cerámica AIN
para aplicaciones de alta potencia
tecnología: GaP, AlInGaP, GaAlAs e InGaN
almohadillas de soldadura: chapado en plata
adecuado para todos los métodos de montaje superficial
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