Diodo emisor IR de alta potencia Vishay, λ 860nm, 1950mW/sr, 2.100mW, mont. SMD

El diodo emisor de infrarrojos de alta potencia Vishay tiene Wavelength centroide de 850 nm. Dispone de un chip emisor de doble pila para la máxima potencia radiante. El tamaño de chip de 42 mil permite un funcionamiento dc de 1,5 A y admite corrientes de pulsos de hasta 5,0 A. Se suministra en SMD de alta potencia con formato de encapsulado de lente. Tiene unas dimensiones de 3,4 mm x 3,4 mm x 2,9mm mm (Long. X Anch. X Alt.).

Ángulo de media intensidad ϕ = ± 28°
Baja resistencia térmica de 6 K/W < RthJSP < 9 K/W
ESD de hasta 5 kV (según ANSI / ESDA / JEDEC® JS-001)
Vida útil del suelo: 168 h, MSL 3, conforme a J-STD-020
Soldadura de reflujo sin plomo (Pb)