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    Memoria FRAM Infineon FM25V20A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 2Mbit, 256K x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V

    Código RS:
    124-2990
    Nº ref. fabric.:
    FM25V20A-G
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon
    Ver todo Memoria FRAM
    3 Disponible para entrega en 24/48 horas
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    unidades

    Añadido

    Precio Unidad

    14,80 €

    (exc. IVA)

    17,91 €

    (inc.IVA)

    unidadesPor unidad
    1 - 914,80 €
    10 - 2414,40 €
    25 - 9914,02 €
    100 - 49913,67 €
    500 +13,33 €
    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    124-2990
    Nº ref. fabric.:
    FM25V20A-G
    Fabricante:
    Infineon
    COO (País de Origen):
    TH

    Documentación Técnica


    Legislación y Conformidad

    COO (País de Origen):
    TH

    Datos del Producto

    F-RAM de Cypress Semiconductor


    La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

    Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
    Rápida velocidad de escritura
    Alta resistencia
    Bajo consumo

    Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 2 Mbits (F-RAM) organizada lógicamente como 256 K ´ 8
    Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
    Retención de datos de 151 años (consulte la tabla de retención y resistencia de datos)
    NODELAY™ escribe
    proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
    SPI muy rápido
    Frecuencia de hasta 40 MHz
    Sustitución directa de hardware para flash serie y EEPROM
    Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
    Sofisticado esquema de protección contra escritura
    Protección de hardware mediante el pasador De Protección contra escritura (WP)
    Protección de software mediante la instrucción Write Disable (Desactivar escritura)
    Protección de bloques de software para 1/4, 1/2, o toda la matriz
    ID de dispositivo
    ID de fabricante e ID de producto
    Bajo consumo
    300 μA de corriente activa a 1 MHz
    100 μA (típico) de corriente en espera
    3 μA modo de reposo actual
    Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
    Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
    Paquetes
    Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
    Paquete de cables planos dobles sin cables (DFN) de 8 pines


    FRAM (RAM ferroeléctrica)


    FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

    Especificaciones

    AtributoValor
    Tamaño de la Memoria2Mbit
    Organización256K x 8 bits
    Tipo de InterfazSPI
    Ancho del Bus de Datos8bit
    Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo16ns
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Tipo de EncapsuladoSOIC
    Conteo de Pines8
    Dimensiones5.33 x 5.33 x 1.78mm
    Longitud5.33mm
    Ancho5.33mm
    Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento3,6 V
    Altura1.78mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+85 °C
    Número de Palabras256K
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
    Número de Bits de Palabra8bit
    Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima2 V
    3 Disponible para entrega en 24/48 horas
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    Añadido

    Precio Unidad

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