Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo SST39SF040-70-4C-NHE 4 MB, 70 ns, PLCC, 32 pines

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Código RS:
145-8975
Nº ref. fabric.:
SST39SF040-70-4C-NHE
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

Memoria flash

Tamaño de la memoria

4MB

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

PLCC

Número de pines

32

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de célula

Doble puerta

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Tensión de alimentación mínima

4.5V

Tipo de temporización

Asíncrono

Temperatura de Funcionamiento Mínima

0°C

Temperatura de funcionamiento máxima

70°C

Longitud

14.05mm

Altura

2.84mm

Certificaciones y estándares

No

Serie

SST39

Número de bits por palabra

8

Número de palabras

512K

Estándar de automoción

No

Corriente de suministro

25mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

70ns

Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040


Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.

Características


Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V

Duración: 100.000 ciclos (típico)

Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)

Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes

Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns

Tiempo de borrado de sector: 18 ms

Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)

Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)

Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)

Datos y direcciones con bloqueo

Temporización de escritura automática: generación interna de VPP

Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos

Compatibilidad con E/S TTL

JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM

Memoria FLASH de Microchip


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