Memoria flash, Paralelo SST39SF040-70-4I-WHE 4Mbit, 512K x 8, 70ns, TSOP, 32 pines
- Código RS:
- 177-9805
- Nº ref. fabric.:
- SST39SF040-70-4I-WHE
- Fabricante:
- Microchip
No disponible
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- Código RS:
- 177-9805
- Nº ref. fabric.:
- SST39SF040-70-4I-WHE
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tamaño de la Memoria | 4Mbit | |
| Tipo de Interfaz | Paralelo | |
| Tipo de Encapsulado | TSOP | |
| Conteo de Pines | 32 | |
| Organización | 512K x 8 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Célula | Doble puerta | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,5 V | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V | |
| Organización de Bloques | Simétrico | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Ancho | 12.5mm | |
| Dimensiones | 12.5 x 8.1 x 1.05mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C | |
| Número de Bits de Palabra | 8bit | |
| Serie | SST39 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Número de Palabras | 512K | |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 70ns | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tamaño de la Memoria 4Mbit | ||
Tipo de Interfaz Paralelo | ||
Tipo de Encapsulado TSOP | ||
Conteo de Pines 32 | ||
Organización 512K x 8 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Célula Doble puerta | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 4,5 V | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 5,5 V | ||
Organización de Bloques Simétrico | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Ancho 12.5mm | ||
Dimensiones 12.5 x 8.1 x 1.05mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C | ||
Número de Bits de Palabra 8bit | ||
Serie SST39 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Número de Palabras 512K | ||
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 70ns | ||
- COO (País de Origen):
- TW
SST39SF040 es una Flash multiuso (MPF) CMOS fabricada con SST tecnología CMOS SuperFlash de altas prestaciones propia SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de tunelización de óxido grueso obtienen mejor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con los enfoques alternativos. SST39SF040 escribe (programa o borra) con una fuente de alimentación de 4,5-5,5 V.
Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V simples
Fiabilidad superior: Duración: 100.000 ciclos (típico) - Más de 100 años de retención de datos
Bajo consumo de potencia (valores típicos a 14 MHz): corriente activa de 10 mA (típica) - Corriente en standby de 30 μA (típica)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 kbytes
Tiempo de acceso de lectura rápida: 55 ns - 70 ns
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura: bit basculador, sondeo de datos
Fiabilidad superior: Duración: 100.000 ciclos (típico) - Más de 100 años de retención de datos
Bajo consumo de potencia (valores típicos a 14 MHz): corriente activa de 10 mA (típica) - Corriente en standby de 30 μA (típica)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 kbytes
Tiempo de acceso de lectura rápida: 55 ns - 70 ns
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura: bit basculador, sondeo de datos