Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo 2 Gb, 256M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

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Código RS:
188-2560
Nº ref. fabric.:
W29N02GZBIBA
Fabricante:
Winbond
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Marca

Winbond

Tamaño de la memoria

2Gb

Tipo de producto

Memoria flash

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

VFBGA

Número de pines

63

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de célula

NAND SLC

Tensión de alimentación máxima

1.95V

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Altura

0.6mm

Longitud

11.1mm

Certificaciones y estándares

No

Número de bits por palabra

8

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25μs

Número de palabras

256M

Estándar de automoción

No

Corriente de suministro

20mA

Serie

W29N02GZ

Density : 2Gbit (Single chip solution)

Vcc : 1.7V to 1.95V

Bus width : x8 x16

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Industrial Plus: -40°C to 105°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 2G-bit/256M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

1,056 words (1024 + 32 words)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

64 pages (64K + 2K words)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command

Additional command suppo

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP f

Contact Winbond for Block

Lowest power consumption

Read: 13mA(typ.)

Program/Erase: 10mA(typ.)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

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