Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, CFI S29GL01GS11TFI010 1024 MB, 128M x 8 bits, 110 ns, TSOP, 56 pines

Código RS:: 193-8795
Nº ref. fabric.:: S29GL01GS11TFI010
Fabricante:: Infineon

Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, CFI S29GL01GS11TFI010 1024 MB, 128M x 8 bits, 110 ns, TSOP, 56 pines

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Código RS:: 193-8795
Nº ref. fabric.:: S29GL01GS11TFI010
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tamaño de la memoria	1024MB
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tipo de interfaz	CFI
	Encapsulado	TSOP
	Número de pines	56
	Organización	128M x 8 bits
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de célula	NI
	Tensión de alimentación mínima	2.7V
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Tipo de temporización	Asíncrono
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Longitud	14.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	14.1mm
	Altura	1.05mm
	Número de palabras	128M
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Número de bits por palabra	8
	Corriente de suministro	60mA
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	110ns
	Serie	S29GL01GS

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tamaño de la memoria 1024MB
	Tipo de producto Memoria flash
	Tipo de interfaz CFI
	Encapsulado TSOP
	Número de pines 56
	Organización 128M x 8 bits
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de célula NI
	Tensión de alimentación mínima 2.7V
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Tipo de temporización Asíncrono
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Longitud 14.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 14.1mm
	Altura 1.05mm
	Número de palabras 128M
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Número de bits por palabra 8
	Corriente de suministro 60mA
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 110ns
	Serie S29GL01GS

Datasheet S29GL01GS10TFI020

COO (País de Origen):: CN

Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil

Tecnología MirrorBit Eclipse de 65 nm

Fuente de alimentación única (VCC) para lectura / programación / borrado (2,7 V a 3,6 V)

Característica de E/S versátil

Amplio rango de tensión de E/S (VIO): 1,65 V a VCC

Bus de datos x 16

Lectura de página asíncrona de 32 bytes

Búfer de programación de 512 bytes

Programación en múltiples páginas, hasta un máximo de 512 bytes

Opciones de palabra única y varios programas en la misma palabra

Comprobación y corrección automática de errores (ECC)

ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit

Borrado de sector

Sectores uniformes de 128 Kb

Comandos de reanudación y suspensión para operaciones de borrado y programación

Registro de estado, encuesta de datos y métodos de contacto listo/congestionado para determinar el estado del dispositivo

Protección de sector avanzada (ASP)

Métodos de protección volátil y no volátil para cada sector

Array de One Time Program (OTP) independiente de 1.024 bytes con dos regiones bloqueables

Tabla de parámetros de interfaz Flash común (CFI)

Rango de temperatura / grado

Industrial (-40 °C a +85 °C)

Industrial Plus (-40 °C a +105 °C)

100.000 ciclos de borrado/programación

20 años de retención de datos

Opciones de encapsulado

TSOP de 56 pines

BGA reforzado LAA de 64 bolas, 13 mm x 11 mm

BGA reforzado LAE de 64 bolas, 9 mm x 9 mm

BGA reforzado con VBU de 56 bolas, 9 mm x 7 mm

Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, CFI S29GL01GS11TFI010 1024 MB, 128M x 8 bits, 110 ns, TSOP, 56 pines

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