Infineon Memoria flash, CFI S29GL512T11FHIV20 512 MB, 64M x 8 bits, 110 ns, BGA, 64 pines

Código RS:: 193-8913
Nº ref. fabric.:: S29GL512T11FHIV20
Fabricante:: Infineon

Infineon Memoria flash, CFI S29GL512T11FHIV20 512 MB, 64M x 8 bits, 110 ns, BGA, 64 pines

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Código RS:: 193-8913
Nº ref. fabric.:: S29GL512T11FHIV20
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tamaño de la memoria	512MB
	Tipo de interfaz	CFI
	Encapsulado	BGA
	Número de pines	64
	Organización	64M x 8 bits
	Tipo de montaje	Superficie
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Tensión de alimentación mínima	2.7V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Longitud	13mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	1mm
	Anchura	11mm
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	110ns
	Número de bits por palabra	8
	Serie	S29GL512
	Número de palabras	64M

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Memoria flash
	Tamaño de la memoria 512MB
	Tipo de interfaz CFI
	Encapsulado BGA
	Número de pines 64
	Organización 64M x 8 bits
	Tipo de montaje Superficie
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Tensión de alimentación mínima 2.7V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Longitud 13mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 1mm
	Anchura 11mm
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 110ns
	Número de bits por palabra 8
	Serie S29GL512
	Número de palabras 64M

Datasheet S29GL01GT10FHI010

Tecnología MirrorBit Eclipse de 64 nm

Fuente de alimentación única (VCC) para lectura / programación / borrado (2,7 V a 3,6 V)

Función de E/S versátil

Amplio rango de tensión de E/S (VIO): 1,65 V a VCC

Bus de datos x8/x16

Lectura de página asíncrona de 32 bytes

Búfer de programación de 512 bytes

Programación en bytes

Opciones de palabra única y varios programas en la misma palabra

Comprobación y corrección de errores automática (ECC) ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit

Borrado de sector

Sectores uniformes de 128 KB

Comandos de reanudación y suspensión para operaciones de borrado y programación

Registro de estado, encuesta de datos y métodos de contacto listo/congestionado para determinar el estado del dispositivo

Protección de sector avanzada (ASP)

Métodos de protección volátil y no volátil para cada sector

Matriz de programa de un tiempo (OTP) independiente de 2.048 bytes

Cuatro regiones bloqueables (SSR0 - SSR3)

SSR0 está bloqueado en fábrica

SSR3 es contraseña de protección de lectura

Tabla de parámetros de interfaz Flash común (CFI)

Rango de temperatura / grado:

Industrial (-40 °C a +85 °C)

Industrial Plus (-40 °C a +105 °C)

Extendido (-40 °C a +125 °C)

100.000 ciclos de borrado/programación

20 años de retención de datos፤

Infineon Memoria flash, CFI S29GL512T11FHIV20 512 MB, 64M x 8 bits, 110 ns, BGA, 64 pines

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