Microchip AEC-Q100 Memoria flash Doble puerta, SPI SST25PF040CT-40I/SN 4 MB, SOIC, 8 pines
- Código RS:
- 264-8824
- Nº ref. fabric.:
- SST25PF040CT-40I/SN
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 264-8824
- Nº ref. fabric.:
- SST25PF040CT-40I/SN
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 4MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 40MHZ | |
| Tipo de célula | Doble puerta | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tipo de temporización | Síncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -45°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | ISO/TS 16949, RoHS, JEDEC | |
| Corriente de suministro | 12mA | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Serie | SST25PF040C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 4MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 40MHZ | ||
Tipo de célula Doble puerta | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tipo de temporización Síncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -45°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares ISO/TS 16949, RoHS, JEDEC | ||
Corriente de suministro 12mA | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Serie SST25PF040C | ||
La memoria flash serie de Microchip dispone de una interfaz de cuatro cables compatible con SPI que permite un encapsulado de bajo número de contactos que ocupa menos espacio en la placa y, en última instancia, reduce los costes totales del sistema. Este dispositivo se ha mejorado con una tensión de funcionamiento ampliada de 2,3-3,6 V. Esta memoria flash serie está fabricada con tecnología patentada CMOS Super Flash de alto rendimiento. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. Mejora significativamente el rendimiento y la fiabilidad, al tiempo que reduce el consumo de potencia.
Arquitectura de interfaz serie: compatible con SPI: modo 0 y modo 3
Compatibilidad con E/S de entrada/salida doble
Frecuencia de reloj de alta velocidad de hasta 40 MHz
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Retención de datos superior a 20 años
Protección de escritura de software: protección de escritura a través de bloque
Rango de temperaturas industriales de -40 °C a +85 °C
Conforme con RoHS
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