Microchip Memoria flash Doble puerta, SPI 8 MB, SOIJ, 8 pines
- Código RS:
- 264-8832
- Nº ref. fabric.:
- SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 264-8832
- Nº ref. fabric.:
- SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 8MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIJ | |
| Número de pines | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 50MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | Doble puerta | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tipo de temporización | Síncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Longitud | 6mm | |
| Serie | SST25VF | |
| Estándar de automoción | No | |
| Corriente de suministro | 15mA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 8MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIJ | ||
Número de pines 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 50MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula Doble puerta | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tipo de temporización Síncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70°C | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Longitud 6mm | ||
Serie SST25VF | ||
Estándar de automoción No | ||
Corriente de suministro 15mA | ||
La memoria flash serie de Microchip se ha mejorado con una frecuencia de funcionamiento mejorada para un menor consumo de potencia. La memoria flash serie SPI SST25VF080B se fabrica con la tecnología de superflash CMOS de alto rendimiento y propiedad de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. Este dispositivo mejora significativamente el rendimiento y la fiabilidad, al tiempo que reduce el consumo de potencia.
Operaciones de lectura y escritura de tensión única: 2,7-3,6 V
Compatible con reloj SPI de 50 MHz
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Retención de datos superior a 100 años
Corriente de borrado y programa: 30 mA (máx.)
Corriente de lectura activa: 10 mA (típica)
Corriente en espera: 5 μA (típica)
Bloques de superposición uniformes de 32 Kbytes y 64 Kbytes
Tiempo de borrado del chip: 35 ms (típico)
Todos los dispositivos son conformes con RoHS
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