Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, SPI S25FL512SAGBHI210 512 MB, 64MB, SOIC, 64 pines

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Código RS:
273-5397
Nº ref. fabric.:
S25FL512SAGBHI210
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Memoria flash

Tamaño de la memoria

512MB

Tipo de interfaz

SPI

Encapsulado

SOIC

Número de pines

64

Frecuencia del reloj máxima

133MHZ

Tipo de célula

NI

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q100

Serie

S25FL512S

La memoria Flash Infineon ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en el lugar o XIP. Al utilizar dispositivos FL S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comandos QIO o DDR QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.

Encapsulado sin plomo

SPI con varias E/S

Protección de sector avanzada

Mínimo de 20 años de retención de datos

Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil

Mínimo de 100.000 ciclos de programación y borrado

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