Infineon AEC-Q1 Grado 1 Memoria flash NI, SPI 512 MB, SOIC, 16 pines
- Código RS:
- 273-7511
- Nº ref. fabric.:
- S25FL512SAGMFIR11
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7511
- Nº ref. fabric.:
- S25FL512SAGMFIR11
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 16 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 133MHZ | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | S25FL-S | |
| Estándar de automoción | AEC-Q1 Grado 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 16 | ||
Frecuencia del reloj máxima 133MHZ | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie S25FL-S | ||
Estándar de automoción AEC-Q1 Grado 1 | ||
La memoria Flash Infineon ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en el lugar o XIP. Al utilizar dispositivos FL-S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comandos QIO o DDR QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.
SPI con varias E/S
Protección de sector avanzada
Búfer de programación de página de 512 bytes
Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil
Mínimo de 20 años de retención de datos
Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas
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