Memoria flash, Paralelo SST39SF020A-70-4C-PHE 2MB, 256K x 8 bits, 70ns, PDIP, 32 pines

Código RS:: 823-4510
Nº ref. fabric.:: SST39SF020A-70-4C-PHE
Fabricante:: Microchip

Memoria flash, Paralelo SST39SF020A-70-4C-PHE 2MB, 256K x 8 bits, 70ns, PDIP, 32 pines

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Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo SST39SF020A-70-4C-PHE 2 MB, 256K x 8 bits, 70 ns, PDIP, 32 pines

Código RS: 165-2021

unitario (En un Tubo de 11)

32,47 €

(exc. IVA)

39,29 €

(inc.IVA)

Código RS:: 823-4510
Nº ref. fabric.:: SST39SF020A-70-4C-PHE
Fabricante:: Microchip

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Microchip
	Tamaño de la Memoria	2MB
	Tipo de Interfaz	Paralelo
	Tipo de Encapsulado	PDIP
	Conteo de Pines	32
	Organización	256K x 8 bits
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Tipo de Célula	Doble puerta
	Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima	4,5 V
	Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento	5,5 V
	Organización de Bloques	Simétrico
	Dimensiones	42.04 x 13.97 x 3.81mm
	Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo	70ns
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+70 °C
	Número de Bits de Palabra	8bit
	Número de Palabras	256K
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	0 °C

	Seleccionar todo
	Marca Microchip
	Tamaño de la Memoria 2MB
	Tipo de Interfaz Paralelo
	Tipo de Encapsulado PDIP
	Conteo de Pines 32
	Organización 256K x 8 bits
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Tipo de Célula Doble puerta
	Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 4,5 V
	Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 5,5 V
	Organización de Bloques Simétrico
	Dimensiones 42.04 x 13.97 x 3.81mm
	Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 70ns
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +70 °C
	Número de Bits de Palabra 8bit
	Número de Palabras 256K
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 0 °C

Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040

Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.

Características

Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V

Duración: 100.000 ciclos (típico)

Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)

Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes

Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns

Tiempo de borrado de sector: 18 ms

Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)

Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)

Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)

Datos y direcciones con bloqueo

Temporización de escritura automática: generación interna de VPP

Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos

Compatibilidad con E/S TTL

JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM

Memoria flash, Paralelo SST39SF020A-70-4C-PHE 2MB, 256K x 8 bits, 70ns, PDIP, 32 pines

Producto Alternativo

Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040

Características

Memoria FLASH de Microchip

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