Memoria SRAM Infineon, 4Mbit, 512k x 8 bits, 100MHZ, SOJ-36, VCC máx. 3,6 V

CY7C1049G y CY7C1049GE son dispositivos de RAM estática rápida CMOS de alto rendimiento con ECC integrada. Ambos dispositivos se ofrecen en opciones de activación de chip único y doble y en configuraciones de varios pines. El dispositivo CY7C1049GE incluye un pin ERR que indica un evento de detección y corrección de errores durante un ciclo de lectura. Las escrituras de datos se realizan afirmando QUE las entradas de habilitación de chip (CE) y habilitación de escritura (WE) SON BAJAS, mientras que proporcionan los datos en I/O0through I/O7 y la dirección en los pines A0 a A18. Las lecturas de datos se realizan afirmando QUE LAS entradas de habilitación de chip (CE) y habilitación de salida (OE) SON BAJAS y proporcionando la dirección requerida en las líneas de dirección. Se puede acceder a los datos leídos en las líneas de E/S (E/O0 a E/O7).

Alta velocidad
TAA = 10 ns
ECC integrada para corrección de errores de un solo bit[1, 2]
Corrientes bajas activas y en espera
Corriente activa: ICC = 38 mA típico
Corriente en espera: ISB2 = 6 mA típico
Rango de tensión de funcionamiento: De 1.65 V a 2.2 V, de 2.2 V a 3.6 V y de 4,5 V a 5.5 V.
Retención de datos de 1.0 V.
Entradas y salidas compatibles con TTL
PIN de indicación de error (ERR) para indicar la detección y corrección de errores de 1 bit
Paquetes SOJ de 36 pines y TSOP II de 44 pines sin PB