SRAM Infineon, 1 MB CY7C1021D-10VXI, 64 K x 16 bits, SOJ-44 pines

Este dispositivo tiene una función de desconexión automática que reduce significativamente el consumo de potencia cuando se deselecciona. Los contactos de entrada y salida (E/S0 a E/S15) se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo se deselecciona (CE HIGH), las salidas están desactivadas (OE HIGH), BHE y BLE están desactivadas (BHE, BLE HIGH), o durante una operación de escritura (CE LOW y WE LOW). Escriba en el dispositivo tomando las entradas de habilitación de chip (CE) y habilitación de escritura (WE) BAJA. Si BLE (Byte Low Enable) es BAJO, los datos de los contactos de E/S (E/S0 a I/S7) se escriben en la ubicación especificada en los contactos de dirección (A0 a A15). Si BHE (Byte High Enable) es BAJO, los datos de los contactos de E/S (E/S8 a I/S15) se escriben en la ubicación especificada en los contactos de dirección (A0 a A15). Leer desde el dispositivo tomando la habilitación de chip (CE) y la habilitación de salida (OE) BAJO mientras se forza la habilitación de escritura (WE) ALTA. Si BLE (Byte Low Enable) es BAJO, los datos de la ubicación de memoria especificada por los contactos de dirección aparecen en E/S0 a E/S7.