Memoria SRAM Infineon, 1Mbit, 64k x 16 bits, 1MHZ, SOJ-44, VCC máx. 5 V

Este dispositivo dispone de una función de desconexión automática que reduce significativamente el consumo de energía cuando se anula la selección. Los contactos de entrada y salida (I/O0 a través de I/O15) se colocan en un estado de impedancia alta cuando el dispositivo está deseleccionado (CE ALTA), las salidas están desactivadas (OE ALTA), BHE y BLE están desactivados (BHE, BLE ALTA) o durante una operación de escritura (CE BAJA y NOSOTROS BAJA). Escribir en el dispositivo tomando LAS entradas de activación de chip (CE) y activación de escritura (WE) BAJAS. Si la activación baja de bytes (BLE) ES BAJA, los datos de los contactos de E/S (I/O0 a través de I/O7) se escriben en la ubicación especificada en los contactos de dirección (A0 a A15). Si la activación alta de bytes (BHE) ES BAJA, los datos de los contactos de E/S (I/O8 a través de I/O15) se escriben en la ubicación especificada en los contactos de dirección (A0 a A15).