SRAM Infineon, 128Mbit

La DRAM de Infineon es una DRAM de refrescación automática CMOS de alta velocidad, con interfaz HYPERBUSTM. La matriz de DRAM utiliza celdas dinámicas que requieren una actualización periódica. La lógica de control de actualización dentro del dispositivo gestiona las operaciones de actualización en la matriz DRAM cuando la memoria no se está leyendo o escribiendo activamente por el maestro de interfaz HYPERBUSTM. Puesto que el host no es necesario para gestionar ninguna operación de actualización, la matriz de DRAM aparece al host como si la memoria usara celdas estáticas que retienen los datos sin actualización. Por lo tanto, la memoria se describe con mayor precisión como RAM pseudoestática.

Interfaz HYPERBUSTM
Velocidad de reloj máxima de 200 MHz
Características de estallido configurables
Caudal de datos de hasta 400 MBps
Estroboscopio de datos de lectura y escritura bidireccional
Estroboscopio de lectura de alineación central DDR opcional