Microcontrolador STMicroelectronics, núcleo ARM Cortex M4 de 32 bit 512kB, 128 kB RAM, 170 MHz Flash, LQFP de 100 pines

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Código RS:
193-9862
Nº ref. fabric.:
STM32G483VET6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Microcontrolador

Serie

STM32G483VE

Encapsulado

LQFP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

100

Núcleo del dispositivo

ARM Cortex M4

Ancho del bus de datos

32bit

Tamaño de la memoria de programa

512kB

Frecuencia del reloj máxima

170MHz

Tamaño RAM

128kB

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

No

Comparadores analógicos

7

Altura

1.45mm

Anchura

14.2 mm

Convertidores digital/analógico

7 x 12 Bit

Número de E/S programables

107

Longitud

14.2mm

Tensión de alimentación mínima

1.71V

Número de temporizadores

2

Tipo de memoria de programa

Flash

Convertidores analógico/digital

26 x 12 Bit

Arquitectura del juego de instrucciones

RISC

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
Los dispositivos STM32G483xE se basan en el núcleo ARM® Cortex®-M4 RISC de 32 bits de altas prestaciones. Funcionan a una frecuencia de hasta 170 Mhz. El núcleo Cortex-M4 dispone de una unidad de punto flotante (FPU) de precisión única, que admite todas las instrucciones de procesamiento de datos de precisión única ARM y todos los tipos de datos. También implementa un conjunto completo de instrucciones DSP (procesamiento de señal digital) y una unidad de protección de memoria (MPU) que mejora la seguridad de la aplicación. Estos dispositivos incorporan memorias de alta velocidad (512 Kbytes de memoria Flash y 128 Kbytes de SRAM), un controlador de memoria externa flexible (FSMC) para memorias estáticas (para dispositivos con paquetes de 100 contactos y más), una interfaz de memoria Flash SPI cuádruple y una amplia gama de E/S mejoradas y periféricos conectados a dos buses APB, dos buses AHB y una Matrix de bus AHB múltiple de 32 bits. Los dispositivos también incorporan varios mecanismos de protección para memoria Flash integrada y SRAM: Protección de lectura, protección contra escritura, área de memoria asegurable y protección de lectura de código propia.

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