Microcontrolador Infineon, núcleo ARM Cortex-M7 de 32 bit, 32 kB RAM, 1024kB, 350 MHz, TQFP SRAM de 176 pines

Código RS:: 260-1110
Nº ref. fabric.:: XMC7200D-F176K8384AA
Fabricante:: Infineon

Microcontrolador Infineon, núcleo ARM Cortex-M7 de 32 bit, 32 kB RAM, 1024kB, 350 MHz, TQFP SRAM de 176 pines

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Código RS:: 260-1110
Nº ref. fabric.:: XMC7200D-F176K8384AA
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Microcontrolador
	Serie	XMC7200
	Encapsulado	TQFP
	Número de pines	176
	Núcleo del dispositivo	ARM Cortex-M7
	Ancho del bus de datos	32bit
	Tamaño de la memoria de programa	1024kB
	Frecuencia del reloj máxima	350MHz
	Tamaño RAM	32kB
	Tensión de alimentación máxima	5.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Número de E/S programables	220
	Temperatura de funcionamiento máxima	125°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Longitud	24mm
	Tensión de alimentación mínima	2.7V
	Estándar de automoción	No
	Convertidores analógico/digital	96 x 12 Bit
	Tipo de memoria de programa	SRAM
	Arquitectura del juego de instrucciones	RISC

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Microcontrolador
	Serie XMC7200
	Encapsulado TQFP
	Número de pines 176
	Núcleo del dispositivo ARM Cortex-M7
	Ancho del bus de datos 32bit
	Tamaño de la memoria de programa 1024kB
	Frecuencia del reloj máxima 350MHz
	Tamaño RAM 32kB
	Tensión de alimentación máxima 5.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Número de E/S programables 220
	Temperatura de funcionamiento máxima 125°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Longitud 24mm
	Tensión de alimentación mínima 2.7V
	Estándar de automoción No
	Convertidores analógico/digital 96 x 12 Bit
	Tipo de memoria de programa SRAM
	Arquitectura del juego de instrucciones RISC

Datasheet - XMC7200D-F176K8384AA

Microcontrolador Infineon, 1024 KB de memoria de programa, frecuencia máxima de 350 MHz - XMC7200D-F176K8384AA

Este MOSFET de alto rendimiento de Infineon está diseñado para su uso en diversas aplicaciones de gestión de potencia. Con un encapsulado TO-220, ofrece un rendimiento robusto con una corriente de drenaje continua máxima de 50 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V. Con una baja resistencia a la conexión y una alta capacidad de disipación de potencia, este MOSFET garantiza una eficiencia óptima en sistemas eléctricos exigentes.

Características y ventajas

• La baja resistencia de drenaje-fuente (7,8 mΩ) reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia operativa

• La disipación de potencia máxima de 68 W garantiza un funcionamiento fiable en condiciones de carga elevada

• El amplio rango de tensión de umbral de puerta (1 V a 2,2 V) ofrece un control flexible para distintos niveles de tensión

• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de funcionamiento de +175°C

• Diseño en modo de mejora para una conmutación eficaz y un control preciso del flujo de corriente

• Tolerancia robusta de la tensión puerta-fuente (-20 V a +20 V) que garantiza la protección contra sobretensiones

• Configuración de un solo transistor ideal para diseños con limitaciones de espacio

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores CC/CC y fuentes de alimentación

• Se utiliza en la rectificación síncrona para mejorar la eficiencia del convertidor

• Ideal para el control de motores en sistemas de automatización industrial

• Empleado en sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos

• Aplicable en sistemas de energías renovables y electrónica de consumo

¿Cuál es la ventaja de la baja resistencia drenador-fuente (RDS(on))?

El bajo RDS(on) minimiza las pérdidas por conducción y la generación de calor, mejorando la eficiencia global de los sistemas de gestión de potencia y garantizando que se convierta más energía en trabajo útil en lugar de perderse en forma de calor.

¿Cómo gestiona el MOSFET la disipación de alta potencia?

Con una potencia máxima de disipación de 68 W, el dispositivo está diseñado para gestionar un calor significativo durante el funcionamiento, manteniendo la estabilidad incluso en condiciones exigentes.

¿Qué importancia tiene el intervalo de tensión de umbral de puerta?

El amplio rango de tensión de umbral de puerta (1V a 2,2V) proporciona flexibilidad en el diseño de circuitos, permitiendo que el MOSFET funcione eficientemente con varias tensiones de control, lo que lo hace adecuado para diferentes aplicaciones que requieren una gestión precisa de la tensión.