MOSFET Toshiba 2SK4017(Q), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold2 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
185-580
Nº ref. fabric.:
2SK4017(Q)
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Serie

2SK

Tipo de Encapsulado

PW Mold2

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

20 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Longitud

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

2.3mm

Material del transistor

Si

Altura

5.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
JP

MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba



Transistores MOSFET, Toshiba