MOSFET IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 194-029P
Nº ref. fabric.:: IXFN80N50P
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica (2)

MOSFET IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

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Precio Unidad (suministrado en un tubo)

33,30 €

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40,29 €

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111 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad
5 +	27,30 €

Código RS:: 194-029P
Nº ref. fabric.:: IXFN80N50P
Fabricante:: IXYS

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	66 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Tipo de Encapsulado	SOT-227
Serie	HiperFET, Polar
Tipo de Montaje	Montaje roscado
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	65 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	700 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Longitud	38.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	195 nC a 10 V
Ancho	25.07mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.6mm

MOSFET IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Documentación Técnica (2)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™