MOSFET IXYS IXFP12N50P, VDSS 500 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 194-619P
Nº ref. fabric.:: IXFP12N50P
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica (2)

MOSFET IXYS IXFP12N50P, VDSS 500 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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3,786 €

(exc. IVA)

4,581 €

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5 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad
10 - 15	3,318 €
20 - 45	3,154 €
50 - 95	2,818 €
100 +	2,712 €

Código RS:: 194-619P
Nº ref. fabric.:: IXFP12N50P
Fabricante:: IXYS

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	500 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5.5V
Disipación de Potencia Máxima	200000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.83mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	29 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.66mm
Altura	9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFP12N50P, VDSS 500 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica (2)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™