Servicios
Novedades
Ayuda
Seguimiento de Pedidos
Iniciar sesión / Registrarse
Inicia sesión
/
Regístrate
para acceder a todas las ventajas de tu cuenta
Menú
Nº ref. fabric.
Búsquedas recientes
Automatización y Control de Procesos
Cables y Conductores
Cajas, Armarios y Envolventes
Climatización y Gestión Térmica
Fusibles y Interruptores Automáticos
Iluminación
Interruptores
Relés y Acondicionamiento de Señales
Componentes Pasivos
Conectores
Displays y Optoelectrónica
Fuentes de Alimentación y Transformadores
Pilas, Baterías y Cargadores
Protección ESD, Sala Blanca y Prototipado PCB
Raspberry Pi, Arduino, ROCK y Módulos de Desarrollo
Semiconductores
Adhesivos, Sellantes y Cintas
Almacenaje, Manutención y Elevación
Herramienta Eléctrica y Soldadura
Herramientas Manuales
Materiales de Ingeniería, Aceros y Perfiles
Neumática e Hidráulica
Rodamientos y Juntas
Tornillería y Fijaciones
Transmisión de Potencia Mecánica
Tuberías y Canalizaciones
Consumibles para Oficina
Entorno de Trabajo Seguro
Equipos de Protección Individual y Ropa de Trabajo
Informática y Periféricos
Limpieza y Mantenimiento de Instalaciones
Prueba y Medida
Seguridad y Herrajes para Puertas y Ventanas
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple
Código RS:
415-354P
Nº ref. fabric.:
2SK3878(F)
Fabricante:
Toshiba
Ver todo MOSFET
Producto Descatalogado
Código RS:
415-354P
Nº ref. fabric.:
2SK3878(F)
Fabricante:
Toshiba
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Especificaciones
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Certificado de conformidad RoHS
Declaración de Conformidad RS
MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba
Transistores MOSFET, Toshiba
Atributo
Valor
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Serie
2SK
Tipo de Montaje
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Ancho
4.8mm
Longitud
15.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
19mm