MOSFET Infineon IPD100N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 110-7111P
Nº ref. fabric.:: IPD100N04S402ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD100N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

1,647 €

(exc. IVA)

1,993 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 20/01/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).*

* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.

Unidades	Por unidad
50 - 90	1,565 €
100 - 240	1,532 €
250 - 490	1,433 €
500 +	1,334 €

Código RS:: 110-7111P
Nº ref. fabric.:: IPD100N04S402ATMA1
Fabricante:: Infineon

IPD100N04S4-02 OptiMOS T2 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	91 nC a 10 V
Ancho	6.22mm
Longitud	6.73mm
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.41mm

MOSFET Infineon IPD100N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon