MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 110-7113P
Nº ref. fabric.:: BSS816NWH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 110-7113P
Nº ref. fabric.:: BSS816NWH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BSS816N OptiMOS-2 Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Serie	OptiMOS™ 2
Tipo de Encapsulado	SOT-323
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	240 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	0.75V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.3V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,6 nC a 2,5 V
Ancho	1.25mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Altura	0.8mm
Tensión de diodo directa	1.1V

MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

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Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon