MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, VDSS 200 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 110-7458P
Nº ref. fabric.:: IPB117N20NFDATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, VDSS 200 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

6 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

5,085 €

(exc. IVA)

6,153 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
10 - 38	5,085 €
40 - 98	4,53 €
100 - 198	4,24 €
200 +	4,035 €

Código RS:: 110-7458P
Nº ref. fabric.:: IPB117N20NFDATMA1
Fabricante:: Infineon

IPB117N20NFD OptiMOS FD Power-Transistor 200 V
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	84 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS FD
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	11,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.31mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	65 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+170 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.45mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.57mm
Tensión de diodo directa	1.2V

MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, VDSS 200 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™ FD