MOSFET Infineon BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, ID 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, TSOP-6

Código RS:: 110-7726P
Nº ref. fabric.:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, ID 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, TSOP-6

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Código RS:: 110-7726P
Nº ref. fabric.:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BSL215C OptiMOS Dual Small Signal MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado	TSOP-6
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	250 mΩ, 280 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	0.6 V, 1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.7 V, 1.2V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Si
Ancho	1.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,73 nC a 4,5 V, 3 nC a 5 V
Longitud	2.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	1mm

MOSFET Infineon BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, ID 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, TSOP-6

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MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™