MOSFET Infineon BSP372NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 110-7754P
Nº ref. fabric.:: BSP372NH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP372NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

0,709 €

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0,858 €

(inc.IVA)

950 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*

* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidad
100 - 200	0,574 €
250 - 450	0,539 €
500 - 1200	0,503 €
1250 +	0,461 €

Código RS:: 110-7754P
Nº ref. fabric.:: BSP372NH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BSP372N OptiMOS N-ch MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	270 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	3.5mm
Longitud	6.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	1.6mm

MOSFET Infineon BSP372NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™