MOSFET Infineon IPD60R800CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código RS:: 130-0902P
Nº ref. fabric.:: IPD60R800CEAUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD60R800CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

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Unidades	Por unidad
125 - 225	0,62 €
250 - 600	0,594 €
625 - 1225	0,554 €
1250 +	0,522 €

Código RS:: 130-0902P
Nº ref. fabric.:: IPD60R800CEAUMA1
Fabricante:: Infineon

IPD60R800CE, IPA60R800CE, MOSFET 600V CoolMOS CE Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	CoolMOS™ CE
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	800 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	74 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	6.22mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.73mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	17,2 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Tensión de diodo directa	0.9V
Altura	2.41mm

MOSFET Infineon IPD60R800CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET