MOSFET Infineon AUIRF2903ZS, VDSS 30 V, ID 235 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 165-7675
Nº ref. fabric.:: AUIRF2903ZS
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon AUIRF2903ZS, VDSS 30 V, ID 235 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (En un Tubo de 50)

2,475 €

(exc. IVA)

2,995 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 +	2,475 €	123,75 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-7675
Nº ref. fabric.:: AUIRF2903ZS
Fabricante:: Infineon

AUIRF2903ZS, AUIRF2903ZL, HEXFET® Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	235 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	231 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	9.65mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	160 nC a 10 V
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon AUIRF2903ZS, VDSS 30 V, ID 235 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

MOSFET de potencia de canal N para automoción, Infineon