MOSFET Tetrode Infineon BF998E6327HTSA1, VDSS 12 V, ID 30 mA, SOT-143 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-8252
Nº ref. fabric.:: BF998E6327HTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Tetrode Infineon BF998E6327HTSA1, VDSS 12 V, ID 30 mA, SOT-143 de 4 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Código RS:: 165-8252
Nº ref. fabric.:: BF998E6327HTSA1
Fabricante:: Infineon

BF998, Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	12 V
Tipo de Encapsulado	SOT-143
Serie	BF998
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	200 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-2,5 V, -2 V
Ancho	1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	2.9mm
Número de Elementos por Chip	1
Ganancia de Potencia Típica	28 dB
Altura	1.3mm

MOSFET Tetrode Infineon BF998E6327HTSA1, VDSS 12 V, ID 30 mA, SOT-143 de 4 pines, , config. Simple

Tetrodo MOSFET de doble enlace Infineon