MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2309CX RFG, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 171-3701
- Nº ref. fabric.:
- TSM2309CX RFG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 171-3701
- Nº ref. fabric.:
- TSM2309CX RFG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El Taiwan Semiconductor -60V, -3. El MOSFET de potencia de canal P de 3 contactos y 1A A tiene una configuración de transistor único y modo de canal de mejora.
En conformidad con RoHS
La temperatura de funcionamiento oscila entre -50 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 1,56W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 1,2V V y 2,5V V.
La temperatura de funcionamiento oscila entre -50 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 1,56W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 1,2V V y 2,5V V.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3,1 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 240 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,56 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Ancho | 1.6mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 8,2 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 2.9mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tensión de diodo directa | 1V |
| Altura | 0.95mm |
- Código RS:
- 171-3701
- Nº ref. fabric.:
- TSM2309CX RFG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor