MOSFET Taiwan Semiconductor TSM3N80CH C5G, VDSS 800 V, ID 3 A, TO-251 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 171-3709
Nº ref. fabric.:: TSM3N80CH C5G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM3N80CH C5G, VDSS 800 V, ID 3 A, TO-251 de 3 pines, config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 171-3709
Nº ref. fabric.:: TSM3N80CH C5G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Taiwan Semiconductor 800V, 3A, 4. MOSFET de potencia de canal N de 3 contactos y 3Ω con configuración de transistor único y modo de canal de mejora. Se utiliza generalmente en fuentes de alimentación y aplicaciones de iluminación.

RDS(ON) baja de 1 3.3Ω (típ.)
Carga de compuerta baja típica a 19nC mA (Típ.)
Bajos CRSs típicos a 10,2pF mA (Típ.)
Capacidad dv/dt mejorada
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 94W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2V V y 4V V.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	TO-251
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	94 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	2.3mm
Longitud	6.5mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Tensión de diodo directa	1.5V
Altura	7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 171-3709
Nº ref. fabric.:: TSM3N80CH C5G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor