MOSFET ROHM RSJ400N10TL, VDSS 100 V, ID 40 A, TO-263S de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 177-6661
- Nº ref. fabric.:
- RSJ400N10TL
- Fabricante:
- ROHM
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 177-6661
- Nº ref. fabric.:
- RSJ400N10TL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 40 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V | |
| Serie | RSJ400N10 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-263S | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 27 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 50 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V | |
| Ancho | 9.2mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 90 nC a 10 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.7mm | |
| Tensión de diodo directa | 1.5V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 40 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V | ||
Serie RSJ400N10 | ||
Tipo de Encapsulado TO-263S | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 27 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 50 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V | ||
Ancho 9.2mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 90 nC a 10 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.7mm | ||
Tensión de diodo directa 1.5V | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- JP
Los MOSFET están fabricados de muy baja resistencia de conexión con las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles para bajo consumo de corriente. En una amplia gama incluidos de tipo compacto, tipo de alta potencia y tipo complejo para cumplir con el mercado.
Tipo de unidad de 4 V
MOSFET de potencia de canal N
Velocidad de conmutación rápida
Circuitos de accionamiento sencillos
Fácil de usar en paralelo
Sin plomo
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Sin plomo
