MOSFET Microchip TN0110N3-G, VDSS 100 V, ID 350 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 177-9690
- Nº ref. fabric.:
- TN0110N3-G
- Fabricante:
- Microchip
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 177-9690
- Nº ref. fabric.:
- TN0110N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 350 mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V | |
| Serie | TN0110 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4,5 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.6V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 1 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Ancho | 4.06mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Altura | 5.33mm | |
| Tensión de diodo directa | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 350 mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V | ||
Serie TN0110 | ||
Tipo de Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 4,5 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.6V | ||
Disipación de Potencia Máxima 1 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente 20 V | ||
Longitud 5.08mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Ancho 4.06mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Altura 5.33mm | ||
Tensión de diodo directa 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- TW
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo - 2,0 V máx.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada - 50 pF típico
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada - 50 pF típico
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada