MOSFET Microchip VN2106N3-G, VDSS 60 V, ID 300 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 177-9724
- Nº ref. fabric.:
- VN2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 177-9724
- Nº ref. fabric.:
- VN2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
- COO (País de Origen):
- US
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 300 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | TO-92 |
Serie | VN2106 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 6 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
Ancho | 4.06mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 5.08mm |
Tensión de diodo directa | 1.8V |
Altura | 5.33mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |