Mantenimiento de la web – Del viernes 21 al domingo 23 de junio

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MOSFET onsemi NVMFS5C456NT1G, VDSS 40 V, ID 80 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-4625
Nº ref. fabric.:: NVMFS5C456NT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NVMFS5C456NT1G, VDSS 40 V, ID 80 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,108 €

(exc. IVA)

1,341 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 28/08/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	1,108 €	11,08 €
100 - 490	0,803 €	8,03 €
500 - 990	0,696 €	6,96 €
1000 - 1490	0,679 €	6,79 €
1500 +	0,661 €	6,61 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-4625
Nº ref. fabric.:: NVMFS5C456NT1G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

MOSFET de alimentación para automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.

Características
Tamaño pequeño (5 x 6 mm)
Baja RDS(on)
Baja Qg y capacitancia
Opción de flancos sumergibles
Capacidad PPAP

Ventajas
Diseño compacto
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimiza las pérdidas de accionamiento
Inspección óptica mejorada

Aplicaciones
Protección de batería inversa
Interruptores de alimentación (controlador de lado alto, controlador de lado bajo, puentes H, etc.)
Fuentes de alimentación de conmutación
Productos finales
Controlador de solenoide: ABS, inyección de combustible
Control de motor: EPS, limpiaparabrisas, ventiladores, asientos, etc.
Interruptor de carga: ECU, chasis, carrocería

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	DFN
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	55 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Longitud	5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	18 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	6.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	1.05mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C