MOSFET Microchip DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, TO-243AA de 4 pines, , config. Simple

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Código RS:
178-5277
Nº ref. fabric.:
DN3535N8-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

230 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

350 V

Tipo de Encapsulado

TO-243AA

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 Ω

Modo de Canal

Reducción

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

1,6 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

2.6mm

Material del transistor

Si

Longitud

4.6mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Altura

1.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex


La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

Características


Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada

Aplicaciones típicas


Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones


Transistores MOSFET, Microchip