MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMTS0D6N04CTXG, VDSS 40 V, ID 533 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 186-1425
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS0D6N04CTXG
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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- Código RS:
- 186-1425
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS0D6N04CTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 533A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NVMTS0D6N04C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 480μΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 187nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.15mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 533A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NVMTS0D6N04C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 480μΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 187nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.15mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No cumple
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (8x8 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body
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