MOSFET Vishay SIHD2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-4982P
Nº ref. fabric.:: SIHD2N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHD2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 188-4982P
Nº ref. fabric.:: SIHD2N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet SIHD2N80AE-GE3

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,9 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	62,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	7 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.73mm
Altura	2.25mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C