MOSFET onsemi NVTFS015N04CTAG, VDSS 40 V, ID 27 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 189-0479
- Nº ref. fabric.:
- NVTFS015N04CTAG
- Fabricante:
- onsemi
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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,59 €
(exc. IVA)
0,71 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,59 € | 14,75 € |
| 100 - 475 | 0,443 € | 11,075 € |
| 500 - 975 | 0,384 € | 9,60 € |
| 1000 - 1475 | 0,308 € | 7,70 € |
| 1500 + | 0,299 € | 7,475 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 189-0479
- Nº ref. fabric.:
- NVTFS015N04CTAG
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Baja RDS(on)
Baja QG y capacitancia
NVMFS5C404NLWF - Opción de flanco sumergible
Capacidad PPAP
Diseño compacto
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimiza las pérdidas de controlador
Óptica mejorada
Aplicaciones
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Productos finales
Controlador de solenoide: ABS, inyección de combustible
Motor Control - EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch - ECU, Chassis, Body
Baja RDS(on)
Baja QG y capacitancia
NVMFS5C404NLWF - Opción de flanco sumergible
Capacidad PPAP
Diseño compacto
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimiza las pérdidas de controlador
Óptica mejorada
Aplicaciones
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Productos finales
Controlador de solenoide: ABS, inyección de combustible
Motor Control - EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch - ECU, Chassis, Body
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 27 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | WDFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 17,3 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 23 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6,3 nC a 10 V |
| Ancho | 3.15mm |
| Longitud | 3.15mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 0.75mm |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
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