MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB70N10S312ATMA1, VDSS 100 V, ID 70 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
217-2508
Nº ref. fabric.:
IPB70N10S312ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

129W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.57mm

Anchura

9.45 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.31mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon 100V, N-Ch, 11,3 MΩ máx., MOSFET de automoción, D2PAK, OptiMOS™-T.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Prueba de avalancha al 100 %

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