MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 6.8 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
218-3000
Nº ref. fabric.:
IPA60R1K0CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS CE

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

61W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

16.15mm

Longitud

29.75mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.9 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 600V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera por Infineon Technologies . Se utiliza en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantes, por ejemplo PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP e iluminación interior.

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

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