MOSFET Infineon IRL40SC228, VDSS 40 V, ID 557 A, D2PAK-7 de 7 pines

El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Capacitancia completamente caracterizada y SOA de avalancha
Diodo de cuerpo DV/dt y capacidad di/dt mejorados
Sin plomo*
Conformidad con RoHS, sin halógenos